種類 :MOSFET
チャネルの種類 : N-channel
許 容 損 失 (Pd): 200mW
ドレイン・ソース間電圧 (Uds): 20V
ドレイン・ゲート間電圧 (Udg):
ゲート・ソース間電圧 (Ugs): 6V
ドレイン電流 (Id): 30mA
チャネル温度 (Tj): 175°C
上昇時間 (tr):
出力容量 (Cd), pf: 5.5pF
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Rds), Om:
パッケージ : TO-72
