品名: 2SD319

材料: Si

種類: NPN

コレクタ損失 (Pc): 100 W

コレクタ・ベース間電圧 (Vcb): 1100 V

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 80 V

エミッタ・ベース間電圧 (Veb): 6 V

コレクタ電流(直流) (Ic): 20 A

最大ジャンクション温度 (Tj): 175 °C

トランジション周波数(fT): 1 MHz

直流電流増幅率 (hfe): 50

パッケージ: TO3