物質 : Si
極性 : npn
コレクタ損失 (Pc): 300mW
コレクタ･ベース間電圧 (Ucb): 35V
コレクタ･エミッタ間電圧 (Uce): 30V
エミッタ･ベース間電圧 (Ueb): 5V
コレクタ電流 (Ic max): 100mA
接合温度 (Tj): 125°C
トランジション周波数 (ft): 80MHz
コレクタ出力容量 (Cc), Pf: 14
直流電流増幅率 (hFE), 最小 / 最大: 120MIN
製造者 : TOSHIBA
パッケージ : TO98-1
アプリケーション : Low Power, General Purpose