品名: 2SB630

材料: シリコンＴＲ

種類: PNP

コレクタ損失 (Pc): 25Ｗ

コレクタ・ベース間電圧 (Ucb): 200Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧 (Uce): 200Ｖ

エミッタ・ベース間電圧 (Ueb): 5Ｖ

コレクタ電流(直流) (Ic): 2A

接合部温度 (Tj): 150

利得帯域幅積 (ft): 2MHz

出力容量 (Cc), pF: 65

直流電流増幅率 (hfe): 40

パッケージ: TO220