品名: 2SA562TM-O

材料: シリコントランジスタ

種類: PNP

コレクタ損失 (Pc): 300mW

コレクタ・ベース間電圧 (Ucb): 30V

コレクタ・エミッタ間電圧 (Uce): 30V

エミッタ・ベース間電圧 (Ueb): 5V

コレクタ電流(直流) (Ic): 400mA

接合部温度 (Tj): 150°C

利得帯域幅積 (ft): 200MHz

出力容量 (Cc), Pf: 13

直流電流増幅率 (hfe): 70〜140

メーカー: Toshiba

パッケージ: TO92