2SA1100

材料: シリコン

種類: PNP

コレクタ損失 (Pc): 300mW

コレクタ・ベース間電圧 (Ucb): 60V

コレクタ・エミッタ間電圧 (Uce): 50V

エミッタ・ベース間電圧 (Ueb): 8V

コレクタ電流(直流) (Ic): 200mA

接合部温度 (Tj): 175°C

利得帯域幅積 (ft): 200MHz

出力容量 (Cc), Pf: 4

直流電流増幅率 (hfe): 70/400

メーカー: MITUBISHI

パッケージ: TO92